- 13,850
- 20
- 8 Ноя 2022
Ученые из университета Тохоку обнаружили материал, открывающий фантастические перспективы
Фазовая память – это тип нелетучей памяти, который использует свойства материалов, изменяющих свою фазу (PCM), для перехода между аморфным состоянием (атомы неупорядочены) и кристаллическим (имеется дальний порядок в расположении атомов). Такое изменение создаёт обратимое электрическое свойство, которое может использоваться для хранения и извлечения данных.
Несмотря на то, что данная область только развивается, фазовая память обладает потенциалом радикально изменить сферу хранения данных благодаря высокой плотности хранения, быстрому чтению и записи. Однако сложный механизм переключения и методы изготовления таких материалов создают проблемы для массового производства.
В последние годы двумерные переходные металл-дихалькогениды стали перспективными материалами для фазовой памяти. Исследователи из университета Тохоку Для просмотра ссылки Войдиили Зарегистрируйся потенциал использования напыления для создания больших областей из двумерных tetra-chalcogenides. С помощью этой техники они создали материал - ниобийтеллурид (NbTe4), который выделяется ультранизкой температурой плавления примерно 447 ºC.
"Метод напыления широко используется для нанесения тонких слоёв материала на подложку, что позволяет точно контролировать толщину и состав пленки", - говорит Йи Шуан, доцент Института исследования материалов университета Тохоку. "Полученные нами пленки NbTe4 изначально были аморфными, но могли кристаллизоваться в двумерную слоистую кристаллическую фазу при температурах выше 272 ºC."
В отличие от традиционных материалов PCM, таких как Ge2Sb2Te5, NbTe4 сочетает в себе низкую температуру плавления и высокую температуру кристаллизации. Эта уникальная комбинация обеспечивает уменьшенное энергопотребление и улучшенную термостабильность в аморфной фазе.
После создания NbTe4 ученые оценили его производительность при переключении. В ходе испытаний материал показал значительное снижение энергопотребления по сравнению с традиционными соединениями фазовой памяти. Ожидается, что NbTe4 будет сохранять данные на протяжении 10 лет при температуре до 135 ºC, что лучше показателей GST (85 ºC). Это указывает на высокую термостабильность и возможное использование NbTe4 в условиях высоких температур, например, в автомобильной промышленности.
"Мы расширили возможности для разработки высокопроизводительной фазовой памяти", - добавляет Шуан. "С учётом низкой температуры плавления, высокой температуры кристаллизации и отличной производительности при переключении, NbTe4 выделяется как идеальный материал, способный ответить на некоторые из текущих вызовов, стоящих перед материалами PCM."
Фазовая память – это тип нелетучей памяти, который использует свойства материалов, изменяющих свою фазу (PCM), для перехода между аморфным состоянием (атомы неупорядочены) и кристаллическим (имеется дальний порядок в расположении атомов). Такое изменение создаёт обратимое электрическое свойство, которое может использоваться для хранения и извлечения данных.
Несмотря на то, что данная область только развивается, фазовая память обладает потенциалом радикально изменить сферу хранения данных благодаря высокой плотности хранения, быстрому чтению и записи. Однако сложный механизм переключения и методы изготовления таких материалов создают проблемы для массового производства.
В последние годы двумерные переходные металл-дихалькогениды стали перспективными материалами для фазовой памяти. Исследователи из университета Тохоку Для просмотра ссылки Войди
"Метод напыления широко используется для нанесения тонких слоёв материала на подложку, что позволяет точно контролировать толщину и состав пленки", - говорит Йи Шуан, доцент Института исследования материалов университета Тохоку. "Полученные нами пленки NbTe4 изначально были аморфными, но могли кристаллизоваться в двумерную слоистую кристаллическую фазу при температурах выше 272 ºC."
В отличие от традиционных материалов PCM, таких как Ge2Sb2Te5, NbTe4 сочетает в себе низкую температуру плавления и высокую температуру кристаллизации. Эта уникальная комбинация обеспечивает уменьшенное энергопотребление и улучшенную термостабильность в аморфной фазе.
После создания NbTe4 ученые оценили его производительность при переключении. В ходе испытаний материал показал значительное снижение энергопотребления по сравнению с традиционными соединениями фазовой памяти. Ожидается, что NbTe4 будет сохранять данные на протяжении 10 лет при температуре до 135 ºC, что лучше показателей GST (85 ºC). Это указывает на высокую термостабильность и возможное использование NbTe4 в условиях высоких температур, например, в автомобильной промышленности.
"Мы расширили возможности для разработки высокопроизводительной фазовой памяти", - добавляет Шуан. "С учётом низкой температуры плавления, высокой температуры кристаллизации и отличной производительности при переключении, NbTe4 выделяется как идеальный материал, способный ответить на некоторые из текущих вызовов, стоящих перед материалами PCM."
- Источник новости
- www.securitylab.ru
